通過(guò)仔細(xì)閱讀《中華人民共和國(guó)計(jì)量檢測(cè)規(guī)程-壓力變送器》以及其引用文獻(xiàn)。比較西森和honeywell，羅斯蒙特，橫河的產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)，并根據(jù)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的說(shuō)明書(shū)初步制定BST9900壓力變送器的檢測(cè)要求。

    下面，西森根據(jù)單晶硅電阻傳感器的工作原理和特點(diǎn)，為大家簡(jiǎn)單介紹單晶硅和擴(kuò)散硅壓力傳感器的差別。

單晶硅壓力傳感器的原理

    單晶硅基于 MEMS（微 機(jī)電）技術(shù)的壓力傳感器，它是建立在微米/納米基礎(chǔ)上，在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋（Wheatstone bridge）組成的硅應(yīng)變計(jì)，經(jīng)500℃以上高溫熔化玻璃，將硅應(yīng)變片燒結(jié)在17－4PH不銹鋼傳感彈性體上，彈性體受壓變形后產(chǎn)生電信號(hào)，由帶微處理 器的數(shù)字補(bǔ)償放大電路進(jìn)行放大，經(jīng)數(shù)字軟件進(jìn)行全智能溫度補(bǔ)償，輸出標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。在標(biāo)準(zhǔn)凈化生產(chǎn)過(guò)程中，參數(shù)嚴(yán)格受控，避免了溫度、濕度及機(jī)械疲勞的影響， 具有頻響高、工作溫度寬等特點(diǎn)，保證了傳感器在工業(yè)惡劣環(huán)境中使用的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

擴(kuò)散硅壓力傳感器原理

    被測(cè)介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測(cè)這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。